参数资料
型号: 2SD1804G-T-TN3-R
厂商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
封装: HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件页数: 1/5页
文件大小: 198K
代理商: 2SD1804G-T-TN3-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1804
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R209-006,D
HIGH CURRENT SWITCHING
APPLICATIONS
FEATURES
* Low collector-to-emitter saturation voltage
* High current and high fT
* Excellent linerarity of hFE.
* Fast switching time
* Small and slim package making it easy to make UTC 2SD1804
applied sets smaller.
Lead-free:
2SD1804L
Halogen-free:2SD1804G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SD1804-x-TM3-T 2SD1804L-x-TM3-T 2SD1804G-x-TM3-T
TO-251
B
C
E
Tube
2SD1804-x-TN3-R 2SD1804L-x-TN3-R 2SD1804G-x-TN3-R
TO-252
B
C
E
Tape Reel
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参数描述
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2SD1805F-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1805F-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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