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参数资料
| 型号： | 2SD1804G-T-TN3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | 2SD1804G-T-TN3-R |
2SD1804
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R209-006,D
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Ta=25°C
1
W
Collector Dissipation
TC=25°C
PD
20
W
Collector Current
IC
8
A
Collector Current(PULSE)
IC(PULSE)
12
A
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55~+150
°C
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP MAX UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=10μA, IE=0
60
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=10μA, IC=0
6
V
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=40V, IE=0
1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=4V, IC=0
1
μA
hFE1
VCE=2V, IC=0.5A
70
400
DC Current Gain
hFE2
VCE=2V, IC=6A
35
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=1A
180
MHz
Output Capacitance
Cob
VCE=10V, f=1MHz
65
pF
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT) IC=4A, IB=0.2A
200
400
mV
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=4A, IB=0.2A
0.95
1.3
V
Storage Time
tSTG
See test circuit
500
ns
Fall Time
tF
See test circuit
20
ns
CLASSIFICATION OF hFE1
RANK
Q
R
S
T
RANGE
70-140
100-200
140-280
200-400
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1804G-Q-TM3-T | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251 |
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| 2SD1805G | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1805G | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1805 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1805F-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805F-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805G-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805G-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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