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参数资料
| 型号： | 2SD1816L-S-TF3-T |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SD1816L-S-TF3-T |
2SD1816
NPN PLANAR TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R209-011,C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta =25℃ )
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
120
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
100
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
DC
4
A
Collector Current
PULSE(Note 1)
IC
8
A
TO-251/TO-252
1
W
Collector Power Dissipation
TO-220F
PD
2
W
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-40 ~ +150
°C
Note1: Duty=1/2, Pw=20ms
Note2: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP MAX UNIT
Collector Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC =10μA, IE =0
120
V
Collector Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC =1mA, RB=∞
100
V
Emitter Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE =10μA, IC=0
6
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC = 2A, IB =0.2A
0.9
1.2
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC = 2A, IB=0.2A
150
400
mV
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB = 100 V, IE =0
1
μA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB = 4V, IC=0
1
μA
hFE1
VCE = 5V, IC = 0.5A
70
400
DC Current Transfer Ratio
hFE2
VCE =5V, IC = 3A
40
Transition Frequency
fT
VCE =10V, IC =0.5A
180
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB =10V, IE =0A, f =1MHz
40
pF
Turn-on Time
tON
See test circuit
100
ns
Storage Time
tSTG
See test circuit
900
ns
Fall Time
tF
See test circuit
50
ns
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