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参数资料
| 型号： | 2SD1816L-S-TF3-T |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SD1816L-S-TF3-T |
2SD1816
NPN PLANAR TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R209-011,C
CLASSIFICATION of hFE1
RANK
R
S
T
Q
RANGE
100 - 200
140 - 280
200 - 400
70 -140
TEST CIRCUIT
INPUT
OUTPUT
IB1
I B2
50V
50
-5V
100
+
470
+
VR
RB
PW=20μS
Duty Cycle≒1%
Ic=10, IB1= -10, IB2=2A
Unit (resistance:Ω, capacitance: F)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1816L-Q-TF3-T | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1816G-T-TF3-T | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1817TP | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1817TP | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1817TP-FA | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SD1816S-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1816S-TL-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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