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参数资料
| 型号： | 2SD1857ATV2Q |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ATV, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 2SD1857ATV2Q |
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
Transistors
Rev.A
3/3
Ta
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.10 Safe operating area (2SD1918)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0.1 0.2
0.5
2
1
5
10 20
50
100 200
500 1000
10
5
2
1
200m
500m
100m
10m
2m
1m
5m
20m
50m
Ic Max (Pulse)
DC
Pw=100ms
Pw=10ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1857ATV2/Q | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1918TL/Q | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1918TLQ | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1857ATV2/P | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1868CTZ | 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1857TV2P | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2R | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1858 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTORSUB P-2SD1858R |
| 2SD1858R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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