- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41517 > 2SD1897C7E 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD1897C7E |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 封装： | TO-220FP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 2SD1897C7E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1855A/E | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD2395C7/DF | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
| 2SC3968/AB | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SB1565/EF | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
| 2SB1286C7 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1898T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1898T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1899-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,60V,3.0A,TO-252 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-252 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。