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参数资料
| 型号： | 2SD1935-7 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SD1935-7 |
2SB1295/2SD1935
No.2516—3/4
ITR09537
IC -- VBE
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
0
--600
--800
--400
--200
--1000
2SB1295
VCE= --2V
ITR09538
IC -- VBE
00.2
0.4
0.8
0.6
1.0
1.2
0
200
400
600
800
1000
2SD1935
VCE=2V
25
°C
--25
°C
25
°C
--25
°C
Ta
=75
°C
T
a=75
°C
Collector
Current,
I C
—
mA
Collector
Current,
I C
—
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE — V
ITR09541
VCE(sat) -- IC
57
7
--10
23
35
--100
22
35
--1000
--10
5
7
--100
7
--1000
5
3
2
3
2
ITR09544
VBE(sat) -- IC
5
57
7
100
2
10
23
35
1000
32
1.0
5
3
2
10
5
7
3
ITR09542
VCE(sat) -- IC
57
7
10
23
35
100
22
35
1000
10
100
5
3
5
3
5
7
1000
7
2
ITR09543
VBE(sat) -- IC
5
57
7
--100
2
--10
23
35
--1000
32
--1.0
5
3
2
--10
5
7
3
ITR09539
hFE -- IC
--10
3
23
5
--100
--1000
53
5
35
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
7
ITR09540
hFE -- IC
10
3
23
5
100
1000
53
5
35
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
7
2SD1935
VCE=2V
2SB1295
VCE= --2V
2SB1295
IC / IB=20
2SB1295
IC / IB=20
25°C
--25°C
25°C
--25
°C
25
°C
--25
°C
25
°C
75°C
2SD1935
IC / IB=20
25
°C
75°C
2SD1935
IC / IB=20
25
°C
--2
5°
C
Ta=75°C
Ta=75
°C
Ta=75
°C
Ta= --25°C
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC — mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC — mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
—
mV
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
—
mV
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
—
V
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
—
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| 2SD1938FSL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1938FTL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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