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参数资料
| 型号： | 2SD1950-T1VK |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2SD1950-T1VK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1950-T1 | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1950-T2 | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1950-T1VL | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1950-T2VK | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1950 | 2 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1955 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-64(TP)110V 3A 20W BCE |
| 2SD1957 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP 120V 7A 30W BCE |
| 2SD1958 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML200V 1.5A 30W |
| 2SD1963T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1963T100S | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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