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参数资料
| 型号： | 2SD1963T100/R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | 2SD1963T100/R |
2SD1963
Transistors
Rev.A
1/2
Power transistor (50V, 3A)
2SD1963
Features
External dimensions (Unit : mm)
1) Low saturation voltage, typically
VCE(sat) =
0.45V (Max.) at IC/IB = 1.5A / 0.15A.
MPT3
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
1.5
0.4
1.6
0.5
3.0
0.4
1.5
(3)
(2)
(1)
4.5
0.5
4.0
2.5
1.0
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SB1308.
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1 Single pulse, Pw=10ms
2 When mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PC
Tj
Tstg
50
V
A(DC)
°C
20
6
3
IC
A(Pulse)
5
1
2
0.5
2.0
W
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
Measured using pulse current.
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
50
20
6
180
150
0.25
35
0.5
560
0.45
VIC
=50
A
IC
= 1mA
IE
= 50
A
VCB
=40V
VEB
=5V
VCE
=2V, IC=0.5A
IC/IB
=1.5A/ 0.15A
VCE
=6V, IE= 50mA, f=100MHz
VCB
=20V, IE=0A, f=1MHz
V
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Transition frequency
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