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参数资料
| 型号： | 2SD1963T100/R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | 2SD1963T100/R |
2SD1963
Transistors
Rev.A
2/2
Packaging specifications and hFE
Marking
Code
Package
MPT3
2SD1963
RS
DG
Basic ordering unit (pieces)
hFE
T100
1000
Type
Denotes hFE
Electrical characteristic curves
Fig.1
Grounded emitter propagation
characteristics
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1m
2m
5m
0.01
0.02
0.2
0.1
0.05
0.5
1
2
10
5
VCE
=2V
25
°C
25
°C
Ta
=100
°C
Fig.2 DC current gain vs.
collector current
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
VCE
=2V
1m
5m 0.01
0.05
1
2
5 10
2m
100
200
500
1000
2000
5000
50
20
10
5
0.02
0.1
0.5
0.2
25
°C
25
°C
Ta
=100
°C
Fig.3
Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
Ta
= 25°C
Ta
=100°C
Ta
= 25°C
lC/lB=40
12
5 10
0.01 0.02
0.1 0.2
0.5
0.05
2m
5m
0.01
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
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