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参数资料
| 型号： | 2SD1993R |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MT-1-A1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | 2SD1993R |
2SD1993
2
SJC00236BED
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Cob VCB
NF
I
E
NV
I
C
0
160
40
120
80
0
500
400
300
200
100
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
012
10
8
26
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta
= 25°C
IB
= 400 A
50
A
350
A
300
A
250
A
200
A
150
A
100
A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
VCE
= 5 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
1 000
800
600
400
200
VCE
= 5 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
1
10
100
0
400
300
100
200
VCB
= 5 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
10
8
6
4
2
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
10
100
1000
0
8
6
2
4
VCE
= 5 V
Rg
= 1 k
Ta
= 25°C
f
= 100 Hz
10 kHz
1 kHz
Noise
figure
NF
(dB
)
Emitter current I
E (A)
0.01
0.1
1
0
120
100
80
60
40
20
VCE
= 10 V
GV
= 80 dB
Function
= FLAT
5 k
Rg
= 100 k
22 k
Noise
voltage
NV
(mV
)
Collector current I
C (mA)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1993S | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1993T | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1994 | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1994AR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1994R | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1994A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1994ARA | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1994ASA | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1994ATA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD19960RA | 功能描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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