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参数资料
| 型号： | 2SD2066P |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TOP3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | 2SD2066P |
2
Power Transistors
2SD2066
PC —Ta
IC —VCE
IC —VBE
VCE(sat) —IC
hFE —IC
fT —IC
Cob —VCB
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
160
120
40
100
140
80
20
60
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C=2.5W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
012
10
8
26
4
0
20
16
12
8
4
T
C=25C
I
B=800mA
700mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
50mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
02.4
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
20
16
12
8
4
T
C=–25C
25C
100C
V
CE=5V
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C/IB=10
T
C=100C
–25C
25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=5V
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
CE=5V
f=1MHz
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
1
3
10
30
100
10
10000
1000
100
30
300
3000
I
E=0
f=1MHz
T
C=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C=25C
I
CP
I
C
t=10ms
100ms
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
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PDF描述 |
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