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参数资料
| 型号： | 2SD2098T100/R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 2SD2098T100/R |
2SD2098 / 2SD2118
Transistors
Rev.B
1/4
Low VCE(sat) transistor (strobe flash)
2SD2098 / 2SD2118
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.25V (Typ.)
(IC/IB = 4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
Dimensions (Unit : mm)
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
20
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
Collector current
IC
5
A(DC)
ICP
10
1
A(Pulse)
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Collector power
dissipation
PC
0.5
2SD2098
2SD2118
2
1
10
W(Tc
=25°C)
W
1 Single pulse Pw=10ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD2098
2SD2118
Abbreviated symbol : DJ
Denotes hFE
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PDF描述 |
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参数描述 |
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