参数资料
型号: 2SD2133R
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 1 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, MT-3-A1, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 253K
代理商: 2SD2133R
2SD2133
2
SJD00244BED
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
PC Ta
IC VCE
IC IB
fT IE
Cob VCB
VCER RBE
0
160
40
120
80
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
Without heat sink
012
210
48
6
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
IB=10mA 9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
Ta=25C
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
012
210
48
6
Base current I
B (mA)
Collector
current
I
C
(A)
VCE=10V
Ta=25C
103
1
102
101
1
10
100
1 000
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (mA)
IC/IB=10
Ta=–25C
Ta=25C
Ta=75C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1 000
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (mA)
IC/IB=10
Ta=75C
Ta=–25C
Ta=25C
0
1
300
250
200
150
100
50
10
100
1 000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE=10V
Ta=75C
Ta=25C
Ta=–25C
1
10
100
0
40
80
120
200
160
Transition
frequency
f
T
(MHz)
Emitter current I
E (A)
VCB=10V
f=200MHz
TC=25C
0
1
30
25
20
15
10
5
10
100
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
Ta=25C
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
Base-emitter resistance R
BE (k)
Collector-emitter
voltage
(Resistor
between
B
and
E)
V
CER
(V)
IC=10mA
TC=25C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
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