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参数资料
| 型号： | 2SD2178S |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MT-3-A1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SD2178S |
2SD2178
2
SJD00251BED
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
Rth t
0
160
40
120
80
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
Without heat sink
012
210
48
6
0
120
100
80
60
40
20
Collector
current
I
C
(mA)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
IB=400A
350A
300A
250A
200A
150A
100A
50A
Ta=25C
103
0.01
102
101
1
10
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=50
Ta=75C
–25C
25C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=50
25C
75C
Ta=–25C
0
0.01
300
250
200
150
100
50
0.1
1
10
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=2V
Ta=75C
Ta=25C
Ta=–25C
1
10
100
0
240
200
160
120
80
40
Transition
frequency
f
T
(MHz)
Emitter current I
E (mA)
VCB=10V
f=200MHz
Ta=25C
0
1
60
50
40
30
20
10
100
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
Ta=25C
101
1
10
104
102
103
104
102
10
1
101
103
102
104
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(°
C/W)
Without heat sink
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
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