参数资料
型号: 2SD2183R
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: MT3-A1, 3 PIN
文件页数: 1/3页
文件大小: 199K
代理商: 2SD2183R
Power Transistors
1
Publication date: July 2002
SJD00252AED
2SD2183
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SB1439
■ Features
High collector to emitter voltage V
CEO
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
Allowing supply with the radial taping
Complementary pair with 2SB1439
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 2°C
7.5±0.2
0.65±0.1
0.7±0.1
1.15±0.2
2.5±0.2
0.85±0.1
1.0±0.1
0.7±0.1
1.15±0.2
0.5±0.1
1
0.8 C
23
0.4±0.1
4.5±0.2
0.8 C
3.8
±
0.2
16.0
±
1.0
10.8
±
0.2
2.05
±
0.2
90
2.5
±
0.1
Unit: mm
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-3-A1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
VCBO
100
V
Collector to emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter to base voltage
VEBO
5V
Collector current
IC
2A
Peak collector current
ICP
3A
Collector power dissipation
PC
1.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector to base voltage
VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 0
100
V
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
100
V
Emitter to base voltage
VEBO
IE = 10 A, IC = 05
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB
= 50 V, I
E
= 0
0.1
A
Forward current transfer ratio
hFE1 *
2
VCE = 2 V, IC = 0.2 A
120
340
hFE2 *
1
VCE = 2 V, IC = 1 A
80
Collector to emitter saturation voltage *
1
VCE(sat)
IC
= 1 A, I
B
= 50 mA
0.1
0.3
V
Base to emitter saturation voltage *
1
VBE(sat)
IC = 1 A, IB = 50 mA
0.8
1.2
V
Gain bandwidth product
fT
VCB = 10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz
80
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
42
60
pF
Note) *1: Pulse measurement
*2: hFE1 rank classification
Rank
R
S
hFE1
120 to 240
170 to 340
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
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