- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录55793 > 2SD2204 4 A, 55 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD2204 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 55 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | 2SD2204 |
2SD2204
2004-07-26
3
Col
lect
or
-e
m
itte
rv
olt
a
ge
V
CE
(V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
C
ollec
tor
-e
m
itte
rs
atu
rati
on
vo
ltag
e
V
CE
(s
a
t)
(V
)
VBE (sat) – IC
Collector current IC (A)
Ba
se
-em
itte
rsa
tu
rati
on
v
oltage
V
BE
(s
a
t)
(V
)
VCE – IB
Base current IB (mA)
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
hFE – IC
Collector current IC (A)
0
1.0
IB = 0.3 mA
Common emitter
Tc = 25°C
0.5
0.7
5
1.5
2.5
2
4
6
8
10
2
4
6
8
Common emitter
VCE = 3 V
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
2
6
8
25
55
Tc = 100°C
4
10
100
0.03
Common emitter
VCE = 3 V
300
500
1000
3000
5000
10000
0.1
0.3
1
3
Tc = 100°C
25
55
0
0.1
1
10
0.3
3
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
30
100
IC = 6 A
0.1
1
5
300
0.4
Common emitter
Tc = 25°C
3
4
0.1
Common emitter
IC/IB = 250
0.3
0.5
1
3
5
10
1
3
5
10
100
25
Tc = 55°C
0.5
0.1
Common emitter
IC/IB = 250
0.3
0.5
1
3
5
10
1
3
5
10
100
25
Tc = 55°C
0.5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2255Q | 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2264TV2/R | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2337C | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2337D | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2381 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2204_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type |
| 2SD2206 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) |
| 2SD2206(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SD2206(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SD2206(TE6,F,M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TOS2SD2206(TE6,F,M) TRANSISTOR (SILICON) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。