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参数资料
| 型号： | 2SD2337 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2SD2337 |
2SJ529(L),2SJ529(S)
3
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown voltage
V
(BR)DSS
–60
—
V
I
D = –10mA, VGS = 0
Gate to source breakdown voltage
V
(BR)GSS
±20
——V
I
G = ±100A, VDS = 0
Zero gate voltege drain current
I
DSS
—
–10
AV
DS = –60 V, VGS = 0
Gate to source leak current
I
GSS
——
±10
AV
GS = ±16V, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
–1.0
—
–2.0
V
I
D = –1mA, VDS = –10V
Static drain to source on state
R
DS(on)
—
0.12
0.16
I
D = –5A, VGS = –10V
Note4
resistance
R
DS(on)
—
0.17
0.24
I
D = –5A, VGS = –4V
Note4
Forward transfer admittance
|y
fs|
4.5
7.5
—
S
I
D = –5A, VDS = –10V
Note4
Input capacitance
Ciss
—
580
—
pF
V
DS = –10V
Output capacitance
Coss
—
300
—
pF
V
GS = 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
85
—
pF
f = 1MHz
Turn-on delay time
t
d(on)
—
10
—
ns
V
GS = –10V, ID = –5A
Rise time
t
r
—
40
—
ns
R
L = 6
Turn-off delay time
t
d(off)
—85
—
ns
Fall time
t
f
—60
—
ns
Body–drain diode forward voltage
V
DF
—
–1.2
—
V
I
F = –10A, VGS = 0
Body–drain diode reverse
recovery time
t
rr
—
60
—
ns
I
F = –10A, VGS = 0
diF/ dt = 50A/
s
Note:
4. Pulse test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD2337C-E | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2SD2337C | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2342B | 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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