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参数资料
| 型号： | 2SD2337D |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2SD2337D |
2SJ529(L), 2SJ529(S)
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-654A (Z)
2nd. Edition
Jul. 1998
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 0.12 typ.
4 V gete drive devices
High speed switching
Outline
1 2
3
4
1 2
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
DPAK–2
D
G
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD2337C | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2SD2342 | 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD2342 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3P150V 6A 50W BCE |
| 2SD2343 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD2345GSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2345JSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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