型号: | 2SD2341R |
厂商: | PANASONIC CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 2 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | MT3, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 183K |
代理商: | 2SD2341R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD2343/P | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
2SD2343P | 2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2345T | 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2375P | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SD2384 | 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD2342 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3P150V 6A 50W BCE |
2SD2343 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD2345GSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD2345JSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD2351T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |