参数资料
型号: 2SD2342B
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: TO-3P, 3 PIN
文件页数: 2/5页
文件大小: 29K
代理商: 2SD2342B
2SD2342
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
150
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
80
V
Emitter to base voltage
V
EBO
6V
Collector current
I
C
6A
Collector peak current
I
C(peak)
10
A
Collector power dissipation
P
C*
1
50
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–50 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
150
V
I
C = 5 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
80
V
I
C = 50 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6—
V
I
E = 5 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
10
A
V
CB = 120 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1*
1
60
200
V
CE = 5 V, IC = 1 A
h
FE2
22
V
CE = 5 V, IC = 5 A
Base to emitter voltage
V
BE
1.0
V
CE = 5 V, IC = 1 A
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
1.5
V
I
C = 5 A, IB = 1 A
Note:
1. The 2SD2342 is grouped by h
FE1 as follows.
BC
60 to 120
100 to 200
相关PDF资料
PDF描述
2SD2342 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SJ390 0.19 ohm, POWER, FET
2SK1070C SMALL SIGNAL, FET
2SK1070E SMALL SIGNAL, FET
2SK2075 20 A, 250 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD2343 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2345GSL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2345JSL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2351T106 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD2351T106V 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2