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参数资料
| 型号： | 2SD2342B |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SD2342B |
2SD2342
60
40
20
0
50
100
150
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Maximum Collector Dissipation Curve
Case temperature TC (°C)
IC max
(Continuous)
20
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.5 1.0
2
5
10 20
50 100
DC
Operation
P
C =
50
W,
(T
C =
25
°C)
(80 V, 0.2 A)
Collector
current
I
C
(A)
Area of Safe Operation
Collector to emitter voltage VCE (V)
5
4
3
2
1
0
TC = 25°C
Collector
current
I
C
(A)
510
IB = 10 mA
20
30
40
90 80 70 60
100
50
Collector to emitter voltage VCE (V)
Typical Output Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2342 | 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SJ390 | 0.19 ohm, POWER, FET |
| 2SK1070C | SMALL SIGNAL, FET |
| 2SK1070E | SMALL SIGNAL, FET |
| 2SK2075 | 20 A, 250 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2343 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD2345GSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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| 2SD2351T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2351T106V | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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