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参数资料
| 型号： | 2SD2375 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio) |
| 中文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SD2375 |
2
Power Transistors
2SD2375
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
40
32
24
16
8
36
28
20
12
4
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
C
=25C
I
B
=1.0mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
0.9mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
1.2
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
5
4
3
2
1
V
CE
=5V
T
C
=25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
=40
T
C
=25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=4V
T
C
=25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=12V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
t=1ms
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
3
10
2
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
80
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
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PDF描述 |
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