- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30592 > 2SD2406-O 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD2406-O |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | 2SD2406-O |
2SD2406
2004-07-07
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
at
u
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
o
n
P
C
(W
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
4.0
0
Common emitter
Tc = 25°C
40
IB = 20 mA
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0.8
1.6
2.4
3.2
60
80
100
120
160
200
240
25
Tc = 75°C
4.0
0
Common
emitter
VCE = 5 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1.0
2.0
3.0
25
Tc = 75°C
1000
10
0.003
Common emitter
VCE = 5 V
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
30
50
100
300
500
25
Tc = 75°C
3
0.03
0.003
Common emitter
IC/IB = 10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
0.05
0.1
0.3
0.5
1
35
0
Tc = Ta
Infinite heat sink
25
50
75
100
125
150
175
5
10
15
20
25
30
DC operation
Tc = 25°C
100 ms*
IC max (pulsed)*
IC max (continuous)
10 ms*
1 s*
1 ms*
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
10
0.1
1
VCE max
3
10
30
100
0.3
0.5
1
3
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2420P | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2420Q | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2421T114 | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2440-GR | 6 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2440 | 6 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2406-Y(F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2406-YF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SD241300L | 功能描述:TRANS NPN 400VCEO .1A MINI PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2413G0L | 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 100MA MINIP-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2414-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。