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参数资料
| 型号： | 2SD2406 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | 2SD2406 |
2SD2406
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2406
Power Amplifier Applications
High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C)
Good hFE linearity
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
4
A
Base current
IB
0.4
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
25
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 80 V, IE = 0
―
30
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 50 mA, IB = 0
80
―
V
Emitter-base breakdown voltage
V (BR) EBO
IE = 10 mA, IC = 0
5
―
V
hFE (1)
(Note)
VCE = 5 V, IC = 0.5 A
70
―
240
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 3 A
15
50
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 3 A, IB = 0.3 A
―
0.45
1.5
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 3 A
―
1.0
1.5
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 0.5 A
―
8.0
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
90
―
pF
Note: hFE (1) classification O: 70 to 140, Y: 120 to 240
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
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PDF描述 |
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