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参数资料
| 型号： | 2SD2571 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | 2SD2571 |
2SD2571
2003-02-04
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 80 V, IE = 0
―
100
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 8 V, IC = 0
0.8
―
4.0
mA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
85
100
115
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 1 A
2000
―
15000
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 1.5 A
1000
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1 A, IB = 1 mA
―
1.5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1 A, IB = 1 mA
―
2.0
V
Turn-on time
ton
―
0.45
―
Storage time
tstg
―
2.0
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 1 mA, duty cycle ≤ 1%
―
0.4
―
s
Marking
Explanation of Lot No.
I B1
20 s
Input
I B2
VCC ≈ 30 V
IB1
IB2
Output
30
Product No.
Lot No.
D2571
Month of manufacture (January to December are denoted by letters A to L respectively.)
Year of manufacture (Last decimal digit of the year of manufacture)
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