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参数资料
| 型号： | 2SD2592S |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 2SD2592S |
2SD2592L, 2SD2592S
Silicon NPN Triple Diffused
Low Frequency Amplifier
1st. Edition
December 1997
Target Specification
Features
High voltage : V
(BR)CEO = 300V min.
Outline
1 2
3
4
1 2
3
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
DPAK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2592S | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2623GS | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2623GT | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2651 | 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD2672TL | 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD25980RA | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD260 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 100V 5A 50W BEC |
| 2SD2604(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 100V 5A 2000 to 15000 TO220NIS Bulk |
| 2SD2607FU6 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 100V 8A 3-PIN(3+TAB) TO-220FN - Bulk 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN 100V 8A TO-220FN 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans Darlington NPN 100V 8A |
| 2SD261 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92 |
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