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参数资料
| 型号： | 2SD2672TL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2SD2672TL |
2SD2672
Transistors
Rev.C
1/2
Low frequency amplifier
2SD2672
Application
Low frequency amplifier
Driver
Features
1) A collector current is large. (4A)
2) VCE(sat) ≦ 250mV
At IC = 2A / IB = 40mA
External dimensions (Unit : mm)
Each lead has same dimensions
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
TSMT3
0~0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
0.3
~
0.6
(2)
(1)
(3)
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
4
500
150
55 to +150
8
1
2
Unit
V
A
mW
1
W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
1 Single pulse, PW=1ms
2 Mounted on a 25×25× 0.8mm Ceramic substrate
t
Packaging specifications
2SD2672
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
250
MHz
VCE
=2V, IE=200mA, f=100MHz
BVCBO
15
V
IC
=10A
BVCEO
12
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=15V
IEBO
100
nA
VEB
=6V
VCE(sat)
70
250
mV
IC
=2A, IB=40mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=200mA
Cob
60
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD313L-C-TF3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD313G-D-TF3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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