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参数资料
| 型号： | 2SD2687STP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SD2687STP |
2SD2687S
Transistors
Rev.A
1/2
Low frequency amplifier, strobe
2SD2687S
Application
Low frequency amplifier
Storobo
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat) ≤ 250mV
At lc=1.5A / lB=30mA
Dimensions (Unit : mm)
Taping specifications
(1)Emitter(GND)
(2)Collector(OUT)
(3)Base(IN)
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Single pulse, Pw
=10ms
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
tj
tstg
Limits
15
12
6
5
400
150
55 to +150
8
Unit
V
A
mW
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power siddipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
Transition frequency
fT
360
MHz
VCE
=2V, IE=500mA, f=100MHz
BVCBO
15
V
IC
=10A
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
12
V
IC
=1mA
Collector-base breakdown voltage
BVEBO
6
V
IE
=10A
Emitter-base breakdown voltage
ICBO
100
nA
VCB
=15V
Collector cutoff current
IEBO
100
nA
VEB
=6V
Emitter cutoff current
VCE(sat)
120
250
mV
IC
=1.5A, IB=30mA
Collector-emitter saturation voltage
hFE
350
680
VCE
=2V, IC=500mA
DC current gain
Cob
30
pF
Collector output capacitance
Pulse
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PDF描述 |
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