- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30593 > 2SD2687STP 5000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD2687STP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SD2687STP |
2SD2687S
Transistors
Rev.A
2/2
Packaging specifications
package
Code
Taping
Basic ordering unit (pieces)
2SD2687S
TP
5000
Type
Electrical characteristic curves
0.1
1
10
0.001
0.01
BASE TO EMITTER CURRENT : VBE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(A)
0.1
1
10
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
Ic/IB=20/1
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=
45 C
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.2 DC current gain
vs. collector current
VCE=
2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=40 C
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : Ic (A)
COLLECTOR
TO
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
Ic/IB=20/1
VCE=2V
Pulsed
Ta=25 C
Ta=
45 C
Ta=100 C
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : Ic (A)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
Fig.4 Base-emitter saturation voltage
vs.collector current
Ta=25 C
Pulsed
IC/IB=20/1
IC/IB=50/1
IC/IB=10/1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : IE (A)
TRANSITION
FREQUENCY
:
fT
(MHz)
Ta=25 C
VCE=
2V
f= 100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)
COLLECTOR
TO
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
Fig.6 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
Ic=0A
f=1MHz
Ta=25 C
Cib
Cob
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2719 | 800 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD313G-E-TA3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD313L-C-TF3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD313G-D-TF3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD313G-F-TA3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2695(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
| 2SD2695(T6CANO,A,F | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SD2695(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SD2695(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SD2695,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。