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参数资料
| 型号： | 2SD2586 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-16E3A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 617K |
| 代理商： | 2SD2586 |
2SD2586
2006-11-22
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 1500 V, IE = 0
―
1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
70
―
250
mA
EmitterBase Breakdown
Voltage
V (BR) EBO
IC = 300 mA, IC = 0
5
―
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 1 A
8
―
28
DC Current Gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 3.5 A
4.4
―
8.5
―
CollectorEmitter Saturation
Voltage
VCE (sat)
IC = 3.5 A, IB = 0.8 A
―
5
V
BaseEmitter Saturation
Voltage
VBE (sat)
IC = 3.5 A, IB = 0.8 A
―
0.9
1.5
V
Forward Voltage
(Damper Diode)
VF
IF = 5 A
―
1.5
2.0
V
Transition Frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.1 A
―
2.5
―
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
73
―
pF
Storage Time
tstg
―
7.5
10
Switching
Time (Fig.1)
Fall Time
tf
ICP = 3.5 A, IB1 (end) = 0.8 A
fH = 15.75 kHz
―
0.3
0.6
s
Fig.1
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT (fh = 15.75 khz)
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