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参数资料
| 型号： | 2SD2605P |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | MT4, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | 2SD2605P |
1
Power Transistors
2SD2605
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
s Features
q
High collector to emitter VCEO
q
Allowing supply with the radial taping
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
200
150
6
3
2
20
2.0
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
ICBO
IEBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFE1
*
hFE2
VBE
VCE(sat)
fT
Conditions
VCB = 200V, IE = 0
VEB = 4V, IC = 0
IC = 50A, IE = 0
IC = 5mA, IB = 0
IE = 500A, IC = 0
VCE = 10V, IC = 150mA
VCE = 10V, IC = 400mA
IC = 500mA, IB = 50mA
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz
min
200
150
6
60
50
typ
20
max
50
240
1
Unit
A
V
MHz
TC=25°C
Ta=25
°C
Rank
Q
P
hFE1
60 to 140
100 to 240
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
MT4 Type Package
1.0
10.0
±0.2
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
4.2
±0.2
13.0
±0.2
2.5
±0.2
18.0
±0.5
Solder
Dip
5.0
±0.1
2.25
±0.2
1.2
±0.1
0.65
±0.1
0.55
±0.1
C1.0
90
°
C1.0
123
1.05
±0.1
0.35
±0.1
*h
FE1 Rank classification
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
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following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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