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参数资料
| 型号： | 2SD2639E |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SD2639E |
2SD2639
No.6960-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE
VCE=5V, IC=1A
1.5
V
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=5A, IB=0.5A
0.6
2.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=5mA, IE=0A
160
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
140
V
IC=50mA, RBE=∞
140
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=5mA, IC=0A
6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.26
μs
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
0.68
μs
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
6.88
μs
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7507-001
10.2
5.1
4.5
1.3
15.1
14.0
2.7
6.3
3.6
18.0
(5.6)
2.7
1.2
0.8
0.4
2.55
12 3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
0
2
1
3
4
5
6
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IT03155
IT03153
10
20
30
40
8
6
4
2
0
240mA 160mA
200mA
120mA
80mA
40mA
20mA
VCE=5V
RB
1Ω
VCC=20V
VBE=--2V
51Ω
Input
Output
++
PW=20μs
D.C.≤1%
RL
20Ω
1μF1μF
IB1
IB2
VR
200Ω
10IB1= --10IB2=IC=1A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD2639 | 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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