型号: | 2SD2645 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | TO-3PMLH, 3 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 33K |
代理商: | 2SD2645 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD2695 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SD602A | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
2SJ128-Z-T2 | 2 A, 100 V, 1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ128-Z-T1 | 2 A, 100 V, 1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ190 | Ultra high-Speed Switching Applications P-Channel Silicon MOSFET(超高速转换应用P沟道硅MOSFET) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SD2646-YD | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
2SD2652T106 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2653KT146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2653TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2654TLV | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |