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参数资料
| 型号： | 2SD2649 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SD2649 |
2SD2649
No.6679-2/4
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
0
5
1
2
3
4
5
6
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
IT02632
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
IT02633
0.1
2
1.0
3
5
7
10
2
3
5
7
100
23
5
7
1.0
10
23
5
7
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
hFE -- IC
23
5
7
0.1
3
5
7
1.0
5
3
2
5
3
2
7
0.1
23
5
7
1.0
10
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
IT02635
0.2A
0.05A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.6A
1.8A
2.0A
VCE=5V
25
°C
--40
°C
T
a=120
°C
IC / IB=5
25
°C
Ta=
--12
0°C
--40
°C
IB=0
3
2
14
10
8
7
69
2
1
3
4
5
6
7
IT02634
--40°C
25
°C
Ta=120°C
VCE=5V
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=3.15A, IB=0.63A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=3.15A, IB=0.63A
1.5
V
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=0.5A
10
hFE2VCE=5V, IC=3.5A
5
8
Fall Time
tf
IC=2A, IB1=0.4A, IB2=--0.8A
0.3
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --2V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
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