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参数资料
| 型号： | 2SD2688LS |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220FI(LS), 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 2SD2688LS |
2SD2688LS
No.7526-2/4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
hFE -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
01
3
5
7
9
0
24
6
8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.01
0.1
1.0
2
3
5
2
3
5
7
10
7
2
3
5
7
23
5
7
2
3
5
7
1.0
10
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
4
6
12
8
10
0
3
2
0.1
1.0
10
23
5
7
2
3
5
7
5
7
1.0
10
3
2
5
7
100
IT02880
IT02882
IT02883
IT02881
--40
°C
25
°C
Ta=120
°C
VCE=5V
IC / IB=5
25°C
120°C
Ta= --40
°C
VCE=5V
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
IB=0
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.6A
2.0A
1.8A
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=7.2A, IB=1.44A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=7.2A, IB=1.44A
1.5
V
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
15
hFE2VCE=5V, IC=8A
5
8
Diode Forward Voltage
VF
IEC=8A
2
V
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A
0.3
s
Switching Time Test Circuit
++
PW=20
s
D.C.
≤1%
50
INPUT
RB
VR
RL=40.0
VCC=200V
VBE= --5V
IB1
IB2
470
F
100
F
OUTPUT
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