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参数资料
型号： 2SD2701TL
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： TUMT3, 3 PIN
文件页数： 1/3页
文件大小： 91K
代理商： 2SD2701TL
2SD2701
Transistors
Rev.B
1/2
Low frequency amplifier
2SD2701
Application
Low frequency amplifier
Driver
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat) ≦ 350mV
At IC = 1A / IB = 50mA
Dimensions (Unit : mm)
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
ROHM : TUMT3
Abbreviated symbol : FZ
0.2Max.
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
2
0.4
0.8
150
55 to +150
4
1
2
Unit
V
A
W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
1 Single pulse, PW=1ms
2 Mounted on a 25×25× 0.8mm Ceramic substrate
t
Packaging specifications
2SD2701
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
300
MHz
VCE
=2V, IE=100mA, f=100MHz
BVCBO
30
V
IC
=10A
BVCEO
30
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=30V
IEBO
100
nA
VEB
=6V
VCE(sat)
140
350
mV
IC
=1A, IB=50mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=100mA
Cob
11
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
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PDF描述
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参数描述
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