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参数资料
| 型号： | 2SD2701TL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TUMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | 2SD2701TL |
2SD2701
Transistors
Rev.B
2/2
Electrical characteristic curves
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
10
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
1000
100
Ta
=100°C
Ta
=40°C
Ta
=25°C
VCE
=2V
Pulsed
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
0.1
0.01
10
1
0.001
0.01
0.1
10
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE
(sat)
(V)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
Ta
=25°C
Ta
=25°C
Ta
=40°C
Ta
=40°C
Ta
=100°C
Ta
=100°C
VBE(sat)
VCE(sat)
IC/IB
=20
Pulsed
IC/IB
=20/1
Pulsed
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
0.01
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
0.1
1
Ta
=25°C
Pulsed
IC/IB
=10/1
IC/IB
=20/1
IC/IB
=50/1
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0
0.5
1
1.5
BASE TO EMITTER CURRENT : VBE (V)
0.001
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0.01
1
0.1
VCE
=2V
Pulsed
Ta
=100°C
Ta
=25°C
Ta
=40°C
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : IE (A)
10
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
1000
100
Ta
=25°C
VCE
=2V
f
=100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
1
10
1000
100
Ta
=25°C
VCE
=5V
f
=100MHz
tstg
tdon
tr
tf
Fig.6 Switching time
SWITCHING
TIME
:
(ns)
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
f
=1MHz
IC
=0A
Ta
=25
°C
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
Cib
Cob
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)
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PDF描述 |
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