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参数资料
| 型号： | 2SD2691AR |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 450K |
| 代理商： | 2SD2691AR |
Power Transistors
Publication date: September 2006
SJD00324AED
1
This product complies with RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SD2691A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplication
Complementary to 2SB1725A
Features
Wide safe operation area
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Absolute Maximum Ratings
Ta = 25
aa
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
80
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
6
V
Collector current
IC
3
A
Peak collector current *
ICP
5
A
Collector power dissipation
TC = 25°C
PC
20
W
2.0
W
Junction temperature
Tj
TT
150
°
C
Storage temperature
Tstg
TT
55 to +150
°
C
Note) *: Non-repetitive peak collector current
Electrical Characteristics
Ta = 25
aa
°
C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 30 mA, I
C
B = 0
80
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 80 V, IE = 0
EE
100
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 80 V, I
CE
B = 0
100
A
Emitter-base cutoff current (Collector open) *1
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
C
1
mA
Forward current transfer ratio *1
hFE1
hh *2
VCE = 4 V, I
CE
C =
C
1
A
70
250
hFE2
hh
VCE = 4 V, I
CE
C =
C
3
A
10
Collector-emitter saturation voltage *1
VCE(sat) IC = 3 A, I
C
B = 0.375 A
1.1
V
Transition frequency
fT
ff
VCB = 10 V, IC = 0.5 A, f = 10 MHz
C
30
MHz
Turn-on time
ton
tt
IC = 1 A, Resistance loaded
C
0.1
s
Storage time
tstg
IB1 = 0.1 A, IB2 = 0.1 A
2.3
s
Fall time
tftt
VCC = 50 V
CC
0.3
s
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classication
Rank
Q
R
hFE1
hh
70 to 150
120 to 250
Unit: mm
1: Base
2: Collector
3: Emitter
MT-4-A1 Package
10.0±0.2
0.65±0.1
0.35±0.1
2.5±0.2
1 2 3
0.65±0.1
1.2±0.1
1.48±0.2
2.25±0.2
C 1.0
0.55±0.1
2.5±0.2
1.05±0.1
13.0
±0.
2
4.
2
±0.
2
18.0
±0.
5
Solder
Dip
5.0±0.1
2.
5
±0.
1
90
°
1.0±0.2
Marking Symbol: D2691A
Internal Connection
B
C
E
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
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following
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about
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information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2691A | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2700TL | 2000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SJ0364O | 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SJ128 | 2 A, 100 V, 1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ179-T2 | 1500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2695(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
| 2SD2695(T6CANO,A,F | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SD2695(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SD2695(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SD2695,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
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