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参数资料
| 型号： | 2SD596A-DV2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINI MOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 641K |
| 代理商： | 2SD596A-DV2 |
2SC5080
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 3 of 7
Main Characteristics
150
100
50
Ambient Temperature Ta (
°C)
0
150
50
100
Maximum Collector Dissipation Curve
Collector
Power
Dissipation
P
C
(mW)
200
160
120
80
40
Collector Current IC (mA)
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
0.1
0
110
100
V
= 5V
CE
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
20
16
12
8
4
12
5
10
20
Collector Current IC (mA)
50
0
V
= 5V
CE
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V
= 1V
CE
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector
Output
Capacitance
C
ob
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
0.1
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
I
= 0
f = 1 MHz
E
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
20
16
12
8
4
12
5
10
20
Collector Current IC (mA)
50
Power
Gain
PG
(dB)
0
V
= 5V
CE
f = 900 MHz
f = 2 GHz
Power Gain vs. Collector Current
5
4
3
2
1
2
510
20
Collector Current IC (mA)
50
Noise
Figure
NF
(dB)
0
V
= 5V
CE
f = 900MHz
f = 2GHz
Noise Figure vs. Collector Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD596A-DV1 | 700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD596A | 700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD600D | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD600E | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB631D | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD596DV1 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD596DV2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD596DV3 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD596DV4 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD596DV5 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-346 |
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