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参数资料
| 型号： | 2SD655-D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 2SD655-D |
2SD655
3
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector
Power
Dissipation
Pc
(mW)
Maximum Collector Dissipation Curve
600
400
200
Typical Output Characteristics
50
40
30
10
0
20
Collector
Current
I
C
(mA)
10
8
6
4
2
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
IB = 0
0.005 mA
0.01
0.02
0.03
0.04
0.015
0.025
0.035
Typical Transfer Characteristics
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
1
3
10
30
100
300
1,000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VCE = 1 V
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
1
3
10
30
100
300
1,000
10
30
100
300
1,000
3,000
10,000
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
VCE = 1 V
Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD655-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD655E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2SD667ABTZ-E | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD667ACTZ-E | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD655DTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD655E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
| 2SD655-E(TZ-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 3-Pin TO-92 T/R |
| 2SD655ETZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD655F | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
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