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参数资料
| 型号： | 2SD655-D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 2SD655-D |
2SD655
4
Collector to Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
CE
(sat)
(V)
3
10
30
100
300
1,000 3,000
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3.0
IC = 10 IB
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
0.3
1.0
3
10
30
100
300
3
10
30
100
300
1,000
3,000
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
VCE = 1 V
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector
Output
Capacitance
C
ob
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
12
5
10
20
50
1
2
5
20
50
10
f = 1 MHz
IE = 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD655-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD655E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD667CTZ-E | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD667ABTZ-E | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD667ACTZ-E | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD655DTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD655E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
| 2SD655-E(TZ-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 3-Pin TO-92 T/R |
| 2SD655ETZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD655F | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
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