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参数资料
| 型号： | 2SD895 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SD895 |
2SB775/2SD895
No.679–3/4
Cob -- VCB
f=1MHz
ITR08362
3
100
1000
5
7
2
3
5
7
10
1.0
23
5
7
100
23
5
7
f=1MHz
0.1
23
5
7
1.0
23
5
7
10
100
5
2
3
5
7
2
3
hFE -- IC
ITR08361
VCE(sat) -- IC
ITR08363
3
0.1
1.0
5
2
3
5
10
5
2
3
1.0
0.1
23
5
7
10
23
5
7
f T -- IC
ITR08360
1.0
10
5
7
2
3
100
5
7
2
3
1.0
0.1
23
5
7
10
23
5
7
VCE=5V
VCE= --5V
PC -- Tc
ITR08365
020
40
6080
100
120
140
160
0
10
20
30
40
50
60
70
1.0
0.1
23
5
7
10
23
5
7
VBE(sat) -- IC
ITR08364
IC / IB=10
2SB775 / 2SD895
2SD895
2SB775
For PNP, minus sign is omitted.
2SD895
2SB775
2SD895
2SB775
2SD895
2SB775
3
1.0
2
5
7
5
3
2SD895
2SB775
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
—
MHz
Collector Current, IC —A
Output
Capacitance,
Cob
—
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
—
V
Collector Current, IC —A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
—
V
Collector
Dissipation,
P
C
—W
Case Temperature, Tc —
°C
0
--1
--2
--3
--4
--5
IC -- VBE
ITR08358
IC -- VBE
ITR08359
2SD895
VCE=5V
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
0
1
2
3
4
5
00.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
2SB775
VCE= --5V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD895E | 6 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB791(K) | POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB792AT | 50 mA, 185 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SB800FL-AZ | 300 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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