| 型号: | 2SJ0364GR |
| 厂商: | PANASONIC CORP |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 200K |
| 代理商: | 2SJ0364GR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ0364GQ | 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SJ0364R | 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SJ0674 | 100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ104-GR | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SJ104 | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ0536 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ053600L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ0536G0L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ0582 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon P-channel power MOSFET |
| 2SJ058200L | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |