参数资料
型号: 2SJ0364GR
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封装: ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 200K
代理商: 2SJ0364GR
2SJ0364G
2
SJF00054CED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Y
fs VGS
Y
fs ID
Ciss , Coss , Crss VDS
PD Ta
ID VDS
ID VGS
0
160
40
120
80
0
200
150
50
100
Power
dissipation
P
D
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
0
12
10
8
2
6
4
0
4.0
3.0
1.0
2.0
Ta
= 25°C
VGS
= 0 V
0.2 V
0.4 V
0.6 V
0.8 V
Drain-source voltage V
DS (V)
Drain
current
I
D
(mA
)
05
4
13
2
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Gate-source voltage V
GS (V)
Drain
current
I
D
(mA
)
VDS
= 10 V
2.0
0
1.5
0.5
1.0
0
4.0
3.0
1.0
2.0
VDS
= 10 V
f
= 1 kHz
Ta
= 25°C
Forward
transfer
admittance
Y
fs
(mS
)
Gate-source voltage V
GS (V)
0
12
10
8
2
6
4
0
16
12
4
8
VDS
= 10 V
f
= 1 kHz
Ta
= 25°C
Forward
transfer
admittance
Y
fs
(mS
)
Drain current I
D (mA)
110
100
0
24
20
16
12
8
4
Ciss
Coss
Crss
f
= 1 MHz
VGS
= 0
Ta
= 25°C
Drain-source voltage V
DS (V)
Short-circuit
forward
transfer
capacitance
(Common-source)
C
iss
,
Short-circuit
output
capacitance
(Common-source)
C
oss
,
Reverse
transfer
capacitance
(Common-source)
C
rss
(pF)
相关PDF资料
PDF描述
2SJ0364GQ 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SJ0364R 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SJ0674 100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ104-GR P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2SJ104 P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SJ0536 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET
2SJ053600L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SJ0536G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SJ0582 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon P-channel power MOSFET
2SJ058200L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件