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参数资料
| 型号： | 2SJ317TR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL, FET |
| 封装： | UPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SJ317TR |
Application
High speed power switching
Low voltage operation
Features
Very low on–resistance
High speed switching
Suitable for camera or VTR motor drive circuit,
power switch, solenoid drive and etc.
1
2, 4
3
UPAK
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
4
3
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
———————————————————————————————————————————
Drain to source voltage
VDSS
–12
V
———————————————————————————————————————————
Gate to source voltage
VGSS
±7
V
———————————————————————————————————————————
Drain current
ID
±2
A
———————————————————————————————————————————
Drain peak current
ID(pulse)*±4
A
———————————————————————————————————————————
Body–drain diode reverse drain current
IDR
2A
———————————————————————————————————————————
Channel dissipation
Pch**
1
W
———————————————————————————————————————————
Channel temperature
Tch
150
°C
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
———————————————————————————————————————————
*
PW < 100 s, duty cycle < 10 %
** Value on the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm).
*** Marking is "NY".
2SJ317
Silicon P Channel MOSFET
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SJ326-AZ | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ327 | 4000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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