| 型号: | 2SJ352 |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | 8 A, 200 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装: | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/10页 |
| 文件大小: | 54K |
| 代理商: | 2SJ352 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ358 | 3 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ358-AZ | 3 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ386 | 3000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ390 | 0.19 ohm, POWER, FET |
| 2SJ402(TO-220FL) | 30 A, 60 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ352-E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ353 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
| 2SJ355 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING |
| 2SJ355-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA |
| 2SJ355-T1(AZ) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V }2A 0.35 SOT89 Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R |