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参数资料
| 型号： | 2SJ410-E |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 200 V, 0.85 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | LEAD FREE, SC-67, TO-220FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 1120K |
| 代理商： | 2SJ410-E |
2SJ410
Rev.3.00 Jun 05, 2006 page 3 of 4
Main Characteristics
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Case Temperature
Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
40
0
10
20
30
0
50
100
150
200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ411 | 5000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ411-AZ | 5000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ413 | 50 A, 60 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ416 | 2 A, 30 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ438 | 5 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ411 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL SIGNAL MOS FET FOR SWITCHING |
| 2SJ412 | 功能描述:MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SJ412 (SM;Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM |
| 2SJ412(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Pch -100V -16A 0.21@10V TO220FL Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET P-CH 100V 16A TO-220FL |
| 2SJ412(SM,Q) | 功能描述:MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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