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参数资料
| 型号： | 2SJ479(L) |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SJ479(L) |
2SJ479(L), 2SJ479(S)
Silicon P Channel DV–L MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-541 (Z)
1st. Edition
Sep. 1997
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 25 m typ.
4V gate drive devices.
High speed switching
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SJ479L-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) LDPAK(L) Box Bulk |
| 2SJ479S | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ479STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ48 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| 2SJ480 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-236AB |
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