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参数资料
| 型号： | 2SJ506(L) |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SJ506(L) |
2SJ505(L), 2SJ505(S)
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-547B (Z)
3rd. Edition
Jun. 1998
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 0.017 typ.
Low drive current.
4V gate drive devices.
High speed switching.
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
D
G
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| 2SJ506L-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ506S | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Hight Speed Power Switching |
| 2SJ506S-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)-(2) 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)-(2) |
| 2SJ506STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ506STR-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:0 |
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